| PECVD技术生长氮化硅钝化膜的条件控制 |
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| 引用本文： | 盖锡民,陈伯洋. PECVD技术生长氮化硅钝化膜的条件控制[J]. 南阳理工学院学报, 2013, 0(3): 101-104 |
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| 作者姓名： | 盖锡民 陈伯洋 |
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| 作者单位： | 丹东安顺微电子有限公司 辽宁丹东 118002 |
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| 摘 要： | 不同的工艺条件会对薄膜的生长产生影响。使用等离子体增强化学气相淀积方法,对PECVD生长氮化硅钝化膜的工艺条件进行了实验研究,阐述了几种工艺参数对钝化膜生长的影响,获得了生长氮化硅钝化膜的较佳工艺条件,制作出了高质量的氮化硅钝化膜。
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| 关 键 词： | PECVD氮化硅 薄膜 钝化 折射率 |
CONDITON CONTROL ON THE PECVD-BASED GROWING OF NITRID PASSIVATION FILM |
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| GAI Xi-min,CHEN Bo-yang. CONDITON CONTROL ON THE PECVD-BASED GROWING OF NITRID PASSIVATION FILM[J]. Journal of Nanyang Institute of Technology, 2013, 0(3): 101-104 |
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| Authors: | GAI Xi-min CHEN Bo-yang |
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| Affiliation: | GAI Xi-min CHEN Bo-yang |
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