用涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究 |
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作者姓名: | 廖常俊 刘颂豪 陈俊芳 刘剑 赵寿南 郑学仁 |
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作者单位: | 华南师范大学量子电子学研究所,华南理工大学应用物理系 |
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摘 要: | 在用MOCVD技术外延生长多层结构时,源材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路、设计合理的压强配置而得到控制,获得了晶格匹配好而且介面过度层薄的突变异质结界面.给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置.
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关 键 词: | MOCVD技术;突变异质结;高速扩散;异外延;量子阱 |
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