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| 用涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究 | |
| 引用本文： | 廖常俊,刘颂豪,陈俊芳,刘剑,赵寿南,郑学仁.用涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究[J].华南师范大学学报(自然科学版),1998(2). |
| 作者姓名： | 廖常俊 刘颂豪 陈俊芳 刘剑 赵寿南 郑学仁 |
| 作者单位： | 华南师范大学量子电子学研究所，华南理工大学应用物理系 |
| 摘 要： | 在用ＭＯＣＶＤ技术外延生长多层结构时，源材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路、设计合理的压强配置而得到控制，获得了晶格匹配好而且介面过度层薄的突变异质结界面．给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置． |
| 关 键 词： | MOCVD技术 突变异质结 高速扩散 异外延 量子阱 |
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