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一种用于深亚微米电路模拟的高精度MOST宏模型
引用本文:徐太龙,柯导明,陈军宁,叶云飞,张婷,吴昊,洪琪. 一种用于深亚微米电路模拟的高精度MOST宏模型[J]. 安徽大学学报(自然科学版), 2006, 30(5): 37-40
作者姓名:徐太龙  柯导明  陈军宁  叶云飞  张婷  吴昊  洪琪
作者单位:安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039
基金项目:国家自然科学基金资助项目(60276042)
摘    要:提供了一种新的方法,用于建立深亚微米电路中MOST的伏安特性方程.该方法根据深亚微米MOST的数值模拟结果或实测结果,直接将小尺寸MOST特性方程用函数拟合技术,在M atlab中用程序实现,所建立的伏安特性方程没有非饱和区、饱和区的间断点,是一个不分区间的统一表达式.对所得到的结果进行了计算验证,证明了建模方法和结果的正确性.

关 键 词:深亚微米MOST  函数拟合  电路模拟
文章编号:1000-2162(2006)05-0037-04
收稿时间:2005-10-11
修稿时间:2005-10-11

A high precision MOST'S macro model for deep sub-micron circuit simulation
XU Tai-long,KE Dao-ming,CHEN Jun-ning,YE Yun-fei,ZHANG Ting,WU Hao,HONG Qi. A high precision MOST'S macro model for deep sub-micron circuit simulation[J]. Journal of Anhui University(Natural Sciences), 2006, 30(5): 37-40
Authors:XU Tai-long  KE Dao-ming  CHEN Jun-ning  YE Yun-fei  ZHANG Ting  WU Hao  HONG Qi
Affiliation:School of Electronics Science and Technology, Anhui University, Hefei 230039,China
Abstract:We present a novel method,used to build the I-V characteristic equations of the MOSTs in the deep sub-micron circuits.Through the function fitting based on the results of numerical simulation or(actual) measurements of deep sub-micron MOSTs,we can obtain the I-V characteristic equations straightly in Matlab.The I-V equations have no discontinuous points of the nonsaturation and saturation regions,so they are non-divisional and unitive expressions.It proves the method is effective and the results are correct.
Keywords:deep sub-micron MOST  function fitting  circuit simulation
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