| 在2HDM模型下γγ→t-bH-过程的散射截面的树图级计算 |
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| 引用本文： | 陈刚.在2HDM模型下γγ→t-bH-过程的散射截面的树图级计算[J].重庆工商大学学报(自然科学版),2005,22(3):301-306. |
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| 作者姓名： | 陈刚 |
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| 摘 要： | 带电Higgs粒子在2HDM模型中具有不同于标准模型的显著特征，寻找带电Higgs粒子是验证2HDM模型的一个非常重要方面。计算了两个光子的碰撞过程γγ→tbH^-的最低阶(树图级)的散射截面，讨论了散射截面与模型参数tan β和带电Higgs粒子的质量之间的关系。计算结果表明：当模型参数tan β在5～40时，散射界面的数量级可达10^-2pb；而带电Higgs粒子的质量大致在100～400GeV。
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| 关 键 词： | 散射截面 Higgs粒子 树图 模型参数 标准模型 碰撞过程 计算结果 tan 带电 数量级 质量 光子 |
The calculation of the tree- level cross section of the process: γγ→t-bH- in 2HDM |
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| CHEN Gang.The calculation of the tree- level cross section of the process: γγ→t-bH- in 2HDM[J].Journal of Chongqing Technology and Business University:Natural Science Edition,2005,22(3):301-306. |
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| Authors: | CHEN Gang |
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