| 有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响 |
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| 引用本文： | 张少强,徐重阳,邹雪城,王长安.有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响[J].华中科技大学学报(自然科学版),1996(11). |
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| 作者姓名： | 张少强 徐重阳 邹雪城 王长安 |
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| 作者单位： | Zhang Shaoqiang Dept. of Solid State Electronics，HUST，Wuhan 430074，China. Xu Zhongyang Zou Xuecheng Wang Changan |
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| 摘 要： | 研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明，这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的．详细分析了背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合
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| 关 键 词： | 非晶硅 薄膜晶体管 有源层厚度 固定电荷 |
The Effects of Active Layer Thickness on the Characteristics of Amorphous Silicon Thin Film Transistors |
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| Zhang Shaoqiang Dept. of Solid State Electronics,HUST,Wuhan ,China. Xu Zhongyang Zou Xuecheng Wang Changan.The Effects of Active Layer Thickness on the Characteristics of Amorphous Silicon Thin Film Transistors[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1996(11). |
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| Authors: | Zhang Shaoqiang Dept of Solid State Electronics HUST Wuhan China Xu Zhongyang Zou Xuecheng Wang Changan |
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| Institution: | Zhang Shaoqiang Dept. of Solid State Electronics,HUST,Wuhan 430074,China. Xu Zhongyang Zou Xuecheng Wang Changan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | amorphous silicon thin film transistors active layer thickness fixed charge |
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