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| 相变存储材料Ge2Sb2Te5的电子结构研究 | |
| 作者姓名： | 张法光 |
| 作者单位： | 武汉理工大学,理学院,武汉,430070 |
| 摘 要： | 利用密度泛函理论对稳态六方Ge2Sb2Te5进行第一性原理计算,得到了其晶格常数、能带结构、电子态密度等相关性质.详细讨论了其成键情况和电子结构对材料晶化率的影响,从电子结构的角度解释了GST稳态与亚稳态之间的转换机制,对实验掺杂研究给出了理论性的指导. |
| 关 键 词： | Ge2Sb2Te5 电子结构 第一性原理 |
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