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| 射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨 | |
| 引用本文： | 叶光,林志贤,等.射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨[J].龙岩师专学报,2002,20(6):44-45,48. |
| 作者姓名： | 叶光 林志贤 |
| 摘 要： | 介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射SiO2薄膜的工艺技术，给出了薄膜淀积速率，膜内组分与工艺条件特别是溅射气压的关系。实验证明，和其他镀膜技术相比，射频磁控溅射可以在更低的温度下制备致密、均匀、重复性好的SiO2薄膜。 |
| 关 键 词： | 射频磁控溅射 二氧化硅薄膜 SiO2薄膜 淀积速率 制备工艺 集成电路 |
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