| 氮气中C-Si系材料的高温变化过程 |
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| 引用本文： | 邓承继,祝洪喜,易成雄,白晨,石生德. 氮气中C-Si系材料的高温变化过程[J]. 武汉科技大学学报(自然科学版), 2008, 31(3) |
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| 作者姓名： | 邓承继 祝洪喜 易成雄 白晨 石生德 |
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| 作者单位： | 1. 武汉科技大学耐火材料与高温陶瓷国家重点实验室培育基地,湖北,武汉,430081
2. 武汉钢铁(集团)公司硅钢厂,湖北,武汉,430082 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 湖北省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 以9组不同配料比的炭黑和单质硅为原料压制成试样, 在氮气气氛下,分别于1350,1400,1450,1500,1550℃下烧结,获得5个不同温度点合成样品: 采用XRD分析技术研究试样的物相演变过程, 研究C-Si系原料在氮气气氛合成过程中的物相变化和反应动力学机制.试验结果表明:试样在氮气气氛下合成,最终物相为SiC,α-Si3N4和β-Si3N4,硅含量高时还存在Si2N2O相,石英相和方石英相作为中间产物出现:氮化硅不仅可由单质硅氮化生成,还可由SiO2,Si2N2O与C还原氮化生成,α-Si3N4先于β-Si3N4生成,且温度升高会向β相转化,温度高于1500℃时,Si3N4会与残余的C反应生成SiC:合成温度和配料比是影响C-Si系原料合成产物的重要动力学因素.
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| 关 键 词： | C-Si系原料 氮气气氛 合成 氮气 材料 高温 变化过程 atmosphere nitrogen materials system 力学因素 合成产物 影响 合成温度 反应生成 温度高 相转化 温度升高 还原氮化 氮化硅 中间产物 石英相 |
High-temperature reaction process of C-Si system materials in nitrogen atmosphere |
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| Deng Chengji,Zhu Hongxi,Yi Chengxiong,Bai Chen,Shi Shengde. High-temperature reaction process of C-Si system materials in nitrogen atmosphere[J]. Journal of Wuhan University of Science and Technology(Natural Science Edition), 2008, 31(3) |
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| Authors: | Deng Chengji Zhu Hongxi Yi Chengxiong Bai Chen Shi Shengde |
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