| 等离子微弧氧化膜的抗静电特性 |
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| 引用本文： | 来永春,吴晓玲,施修龄,华铭,杜建成.等离子微弧氧化膜的抗静电特性[J].北京师范大学学报(自然科学版),2004,40(3):347-349. |
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| 作者姓名： | 来永春 吴晓玲 施修龄 华铭 杜建成 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,100875,北京;北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,100875,北京;北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,100875,北京;北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,100875,北京;北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,100875,北京 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 等离子体微弧氧化技术可以在铝合金表面原位生长20～200μm的陶瓷氧化膜,该膜具有很高的硬度,大大改善铝合金表面的耐磨、耐蚀特性.对于某些抗静电要求较高的电子元件,除需有较高的耐磨、耐蚀特性外,还要求表面电阻控制在106～1010 Ω之间.通过对氧化膜厚度的调整,可有效地控制表面电阻的大小,从而满足抗静电要求.
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| 关 键 词： | 等离子体微弧氧化 抗静电 特性 |
| 修稿时间： | 2003年11月21日 |
THE ANTIELECTROSTATICS OF THE CERAMIC OXIDATION FILMS BY PLASMA MICRO-ARC OXIDATION TECHNIQUE |
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| Lai Yongchun,Wu Xiaoling,Shi Xiuling,Hua Ming,Du Jiancheng.THE ANTIELECTROSTATICS OF THE CERAMIC OXIDATION FILMS BY PLASMA MICRO-ARC OXIDATION TECHNIQUE[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2004,40(3):347-349. |
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| Authors: | Lai Yongchun Wu Xiaoling Shi Xiuling Hua Ming Du Jiancheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | plasma micro-arc oxidation antielectrostatic property ceramic coatings |
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