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面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响
引用本文:李秀玲,王丽娜,郭革新,李静.面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响[J].河北师范大学学报(自然科学版),2007,31(2):188-190,199.
作者姓名:李秀玲  王丽娜  郭革新  李静
作者单位:河北师范大学,物理科学与信息工程学院,河北,石家庄,050016
摘    要:实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围Hip(1),Hip(2)],其中Hip(1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hip(2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hip(1))IID<(Hip(1))ID<(Hip(1))OHB;(Hip(2))IID=(Hip(2))ID=(Hip(2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hip(1)和Hip*以及范围Hip(1),Hip*]都随着Hb的增加而减小或变窄.

关 键 词:垂直布洛赫线  直流偏场  面内场
文章编号:1000-5854(2007)02-0188-03
修稿时间:2006-05-08

Influence of In-plane Field on the Stability of Three Kinds of Hard Domains
LI Xiu-ling,WANG Li-na,GUO Ge-xin,LI Jing.Influence of In-plane Field on the Stability of Three Kinds of Hard Domains[J].Journal of Hebei Normal University,2007,31(2):188-190,199.
Authors:LI Xiu-ling  WANG Li-na  GUO Ge-xin  LI Jing
Institution:College of Physics Science and Information Engineering, Hebei Normal University, Hebei Shijiazhuang 050016 ,China
Abstract:
Keywords:vertical-Bloch-line(VBL)  static bias field  in-plane field
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