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SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析
引用本文:苏文勇,李蕊,邵彬. SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析[J]. 北京理工大学学报, 2005, 25(6): 522-525
作者姓名:苏文勇  李蕊  邵彬
作者单位:北京理工大学,理学院,北京,100081
摘    要:对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.

关 键 词:SiGe异质结双极晶体管  基区渡越时间  Ge分布  SiGe  异质结双极晶体管  管基  基区渡越时间  时间分析  Transit Time  Base  Bipolar Transistor  时间影响  高斯分布  指数分布  电子迁移率  有效态密度  最小  三角形分布  矩形  组分分布  结果  电流密度  载流子浓度
文章编号:1001-0645(2005)06-0522-04
收稿时间:2004-06-22
修稿时间:2004-06-22

Base Transit Time of Si/SiGe Heterojunction Bipolar Transistor
SU Wen-yong,LI Rui and SHAO Bin. Base Transit Time of Si/SiGe Heterojunction Bipolar Transistor[J]. Journal of Beijing Institute of Technology(Natural Science Edition), 2005, 25(6): 522-525
Authors:SU Wen-yong  LI Rui  SHAO Bin
Affiliation:School of Science,Beijing Institute of Technology, Beijing100081,China;School of Science,Beijing Institute of Technology, Beijing100081,China;School of Science,Beijing Institute of Technology, Beijing100081,China
Abstract:
Keywords:SiGe heterojunction bipolar transistor  base transit time  Ge profile
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