| 超薄层SiOxNy栅介质薄膜的制备与研究进展 |
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| 引用本文： | 张弘,范志东,田书凤,彭英才. 超薄层SiOxNy栅介质薄膜的制备与研究进展[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2005, 25(6): 673-679. DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2005.06.024 |
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| 作者姓名： | 张弘 范志东 田书凤 彭英才 |
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| 作者单位： | 河北大学,电子信息工程学院,河北,保定,071002 |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金资助项目(503125);南京大学固体微结构物理实验开放课题(M041911) |
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| 摘 要： | 在0.1μm级的Si-CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年SiOxNy栅介质制备技术的研究进展,讨论了各种方法的优缺点,并展望了SiOxNy栅介质制备技术的未来发展趋势.
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| 关 键 词： | SiOxNy栅介质 热退火N化 等离子体氮化 化学气相沉积 氮注入 |
| 文章编号： | 1000-1565(2005)06-0673-07 |
| 修稿时间： | 2005-06-30 |
Progress on the Fabricated Technique of Ultrathin SiOxNy Films |
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| ZHANG Hong,FAN Zhi-dong,TIAN Shu-feng,PENG Ying-cai. Progress on the Fabricated Technique of Ultrathin SiOxNy Films[J]. Journal of Hebei University (Natural Science Edition), 2005, 25(6): 673-679. DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2005.06.024 |
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| Authors: | ZHANG Hong FAN Zhi-dong TIAN Shu-feng PENG Ying-cai |
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| Abstract: | Ultrathin SiO_xN_y films have been widely researched and used as the first choice of the gate dielectrics in the 0.1 μm Si-CMOS devices and integrated circuit. This paper introduces the recent progress on the fabricated technique of SiO_xN_y, and predicates the developed tendency. |
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| Keywords: | SiO_xN_y gate dielectrics thermal annealing nitridation plasma nitridation chemical vapor deposition nitrogen-implanted |
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