| 倒掺杂结构PD SOI器件的抗辐射研究 |
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| 引用本文： | 韩本光. 倒掺杂结构PD SOI器件的抗辐射研究[J]. 南京邮电大学学报(自然科学版), 2009, 9(20) |
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| 作者姓名： | 韩本光 |
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| 作者单位： | 西安微电子技术研究所 |
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| 摘 要： | 摘要：为了提高SOI器件抗总剂量能力，采用了倒掺杂结构。本文研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强，介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑制作用，在研究过程中发现，倒掺杂结构不仅提高了器件的抗总剂量能力，对器件的抗单粒子能力也有所提高。本文基于0.35um SOI 工艺线，结合ISE TCAD 软件对器件的电学特性进行仿真，比较了流片测试数据和仿真数据。着重研究倒掺杂结构PD SOI器件较常规PD SOI 器件抗SEU能力的改善，并对SOI器件单粒子辐射的电荷收集效应进行了模拟与仿真。
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| 关 键 词： | 倒掺杂 PD SOI 单粒子翻转 电荷收集 线性能量转移值 |
| 收稿时间： | 2009-07-02 |
Study of Retrograde structure PD SOI device's immunity to radiation |
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| hanbenguang. Study of Retrograde structure PD SOI device's immunity to radiation[J]. JJournal of Nanjing University of Posts and Telecommunications, 2009, 9(20) |
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| Authors: | hanbenguang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | retrograde PD SOI SEU charge collection LET |
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