| （CdSe）m（ZnSe）n／ZnSe短周期量子阱的荧光光谱 |
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| 引用本文： | 谢沧,张卓良.（CdSe）m（ZnSe）n／ZnSe短周期量子阱的荧光光谱[J].中山大学学报(自然科学版),1995,34(4):31-35. |
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| 作者姓名： | 谢沧 张卓良 |
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| 作者单位： | 中山大学物理学系，中山大学测试中心，中山大学激光与光谱学研究所 |
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| 摘 要： | 对用原子层外延法生长的｛（ＺｎＳｅ）＿（７０）（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）＿（２０）（Ｚｎｓｅ）＿８＋［（ＣｄＳｅ）＿１（Ｚｎｓｅ）＿３］＿７＋（ＺｎＳｅ）＿８（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）＿（２０）（ＺｎＳｅ）＿（７０）｝×１短周期超晶格量子阱样品，在７７Ｋ进行了稳态和瞬态荧光光谱研究。在本征激发下，观察到在不同激发强度时荧光光谱有显著的区别，随着泵浦密度提高，荧光谱表现为绿带（Ｓ＿２）、蓝带（Ｓ＿１）和蓝锐线依次占优。利用时间分辩光谱测量了上述谱带的荧光产生时间和寿命，讨论了样品中激子的捕获和复合过程。认为上述荧光光谱对激发强度的依赖性，可能是束缚在势垒中Ｔｅ＿ｎ（ｎ≥２）原子簇和单Ｔｅ原子周围的激子态随激发功率提高而依次饱和的现象。
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| 关 键 词： | 超晶格，量子阱，荧光光谱 |
Steady and Time-resolved Photolufninesence of the(ZnSe)m(CdSe)n/ZnSe Short Period Superlattice Quamturn Wells |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | superlattice quantum well photoluminesence* |
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