| 12keV低能砷离子注入硅的损伤分布 |
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| 引用本文： | 张旭,林成鲁.12keV低能砷离子注入硅的损伤分布[J].中山大学学报(自然科学版),1995,34(2):27-31. |
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| 作者姓名： | 张旭 林成鲁 |
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| 作者单位： | 中山大学物理学系，中国科学院上海冶金研究所 |
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| 摘 要： | 测量了１２ｋｅＶ注入能量、８×１０￣（１４）～２×１０￣（１５）／ｃｍ￣２剂量砷离子注入硅的椭偏光谱，并用最优化拟合算法从椭偏光谱定出损伤分布。这种低能量离子注入的结果表明，损伤分布呈现为平台型，体内不出现峰值，损伤深度为１２．５～１６．０ｎｍ，与背散射沟道技术测定结果相符合。
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| 关 键 词： | 椭偏光谱，离子注入，损伤分布 |
Damage Profile of 12keV Low-Energy Arsenic Ion Implanted Silicon |
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| Zhang Xu, Mo Dang, Lin Chenglu, He Zhiping.Damage Profile of 12keV Low-Energy Arsenic Ion Implanted Silicon[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni,1995,34(2):27-31. |
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| Authors: | Zhang Xu Mo Dang Lin Chenglu He Zhiping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | spectroscopic ellipsometry ion implantation damage profile |
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