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Bi2Te3/Si异质结中的侧向光伏效应
引用本文:王淑芳,乔双,马继奎.Bi2Te3/Si异质结中的侧向光伏效应[J].河北大学学报(自然科学版),2021,41(5):488.
作者姓名:王淑芳  乔双  马继奎
作者单位:河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,新能源光电器件国家地方联合工程实验室,河北保定 071002
基金项目:国家自然科学基金面上项目(51972094);河北省自然科学基金杰出青年项目(F2018201198)
摘    要:碲化铋(Bi2Te3)是一种典型的拓扑绝缘体材料,在热电、光电和自旋电子学领域具有广阔应用前景.本文采用脉冲激光沉积技术在Si衬底上制备了不同厚度的Bi2Te3薄膜,详细研究了Bi2Te3/Si异质结中的侧向光伏响应特性.结果表明,该异质结的侧向光伏响应强烈依赖于Bi2Te3层厚度,随厚度增加呈现先快速增加至一极值,然后逐渐减小的变化趋势.用不同波长和功率的激光照射测量时发现,该异质结具有405~808 nm的较宽响应波段,且位置灵敏度随激光功率增加而增大并最终趋于饱和,其中671 nm的侧向光伏响应性能最好,最高位置灵敏度达到3.4×10-2 V/mm.以上结果为研发基于Bi2Te3的高灵敏、宽波段光位敏探测器提供了重要参考.

关 键 词:Bi2Te3/Si  厚度调控  侧向光伏效应  宽波段  光位敏探测器
收稿时间:2021-05-15

Lateral photovoltaic effect in Bi2Te3/Si heterojunction
WANG Shufang,QIAO Shuang,MA Jikui.Lateral photovoltaic effect in Bi2Te3/Si heterojunction[J].Journal of Hebei University (Natural Science Edition),2021,41(5):488.
Authors:WANG Shufang  QIAO Shuang  MA Jikui
Institution:National-local Joint Engineering Laboratory of New Energy Photoelectric Devices, Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China
Abstract:
Keywords:Bi2Te3/Si  thickness modulation  lateral photovoltaic effect  broadband  light position sensitive detector  
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