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| 硅基场发射阴极材料研究进展 | |
| 作者姓名： | 富笑男 李新建 |
| 作者单位： | 郑州大学物理系,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;河南工业大学数理系,郑州,450052;郑州大学物理系,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052 |
| 基金项目： | 河南省自然科学基金(411011800)和教育部骨干教师基金资助 |
| 摘 要： | 场发射显示技术在原理上具有多种优越性能,可能在未来平板显示技术中居主导地位。硅基场发射阴极易于与其周边驱动电路实现集成,因而更具有明显的开发前景。在综述硅基场发射阴极材料最新研究进展的基础上,就其所面临的问题、可能的解决方案和未来的发展趋势做出了评述。 |
| 关 键 词： | 硅基场致发射阴极材料 硅尖锥形阴极阵列 场发射 |
| 修稿时间： | 2004-10-25 |
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