首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池短路电流退化机制研究
引用本文:齐佳红,胡建民.电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池短路电流退化机制研究[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2015,31(4).
作者姓名:齐佳红  胡建民
作者单位:哈尔滨师范大学
基金项目:黑龙江省教育厅科学技术研究项目
摘    要:应用PC1D程序拟合1 Me V电子辐照后Ga In P/Ga As/Ge太阳电池的光谱响应得到少数载流子扩散长度随辐照电子注量的变化关系.结果表明:少数载流子(少子)扩散长度随辐照电子注量增加而减小,少数载流子扩散长度的缩短是太阳电池短路电流退化的主要原因.

关 键 词:GaInP/GaAs/Ge太阳电池  电子辐照  PC1D程序  损伤效应

Study on the Mechanism of Short Circuit Current Degradation of GaInP/GaAs/Ge Solar Cell under Electron Irradiation
Qi Jiahong,Hu Jianmin.Study on the Mechanism of Short Circuit Current Degradation of GaInP/GaAs/Ge Solar Cell under Electron Irradiation[J].Natural Science Journal of Harbin Normal University,2015,31(4).
Authors:Qi Jiahong  Hu Jianmin
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号