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| InN纳米薄膜制备及其结构与带隙分析 | |
| 引用本文： | 王金颖,王炫力,袁浩然,姚成宝,孙文军. InN纳米薄膜制备及其结构与带隙分析[J]. 哈尔滨师范大学自然科学学报, 2015, 31(3): 83-86 |
| 作者姓名： | 王金颖 王炫力 袁浩然 姚成宝 孙文军 |
| 作者单位： | 1. 光电带隙材料教育部重点实验室 2. 黑龙江省先进功能材料与激发态重点实验室 3. 哈尔滨师范大学 |
| 基金项目： | 黑龙江省自然基金，黑龙江省教育厅骨干教师项目，黑龙江省研究生创新科研资金项目，The Natural Science Foundation of Heilongjiang Province under Grant |
| 摘 要： | 以金属铟为靶材,蓝宝石为衬底,氩和氮的混合气体为溅射气体,衬底温度为100℃,溅射功率为100 W,采用射频磁控溅射技术分别制备了溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa的In N薄膜.利用XRD、SEM分析薄膜样品呈六方纤锌矿结构.使用双光束紫外/可见分光光度计测量薄膜的吸收谱,计算得到在溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa下制得的薄膜样品带隙分别为1.825、1.74、1.82 e V.结果表明溅射压强为1.0 Pa时,带隙值最小,结晶质量最好. |
| 关 键 词： | 磁控溅射 溅射压强 In N 光学带隙 |
The Preparation of InN Nano Thin Films and Analysis of the Structure and Optical Bandgap |
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| Wang Jinying,Wang Xuanli,Yuan Haoran,Yao Chengbao,Sun Wenjun. The Preparation of InN Nano Thin Films and Analysis of the Structure and Optical Bandgap[J]. Natural Science Journal of Harbin Normal University, 2015, 31(3): 83-86 | |
| Authors: | Wang Jinying Wang Xuanli Yuan Haoran Yao Chengbao Sun Wenjun |
| Affiliation: | Wang Jinying;Wang Xuanli;Yuan Haoran;Yao Chengbao;Sun Wenjun;Key Laboratory for Photonic and Electronic Bandgap Material( Ministry of Education);Heilongjiang Key Laboratory for Advanced Functional Materials and Excited State Processes;Harbin Normal University; |
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