|
|||||
|
|
| 隧穿场效应晶体管的专利申请态势分析 | |
| 作者单位： | ;1.国家知识产权局专利局 |
| 摘 要： | 本文首先介绍了隧穿场效应晶体管(TFET)的原理和发展概况,随后对2016年3月31日前已公开了TFET的相关专利申请进行统计分析,给出专利技术发展趋势、区域分布和申请人分布,帮助技术人员了解TFET技术专利发展状态,并希望对技术人员寻找进一步研究的方向提供帮助。 |
| 关 键 词： | TFET 专利申请态势 |
Patent Application Situation Analysis in Tunnel Field Effect Transistors |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |