| GaAs/Ge太阳电池电子辐射效应的移位损伤剂量分析 |
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| 引用本文： | 王荣,刘运宏,鲁明,冯钊,易天成.GaAs/Ge太阳电池电子辐射效应的移位损伤剂量分析[J].中国科技论文在线,2015(5):520-522,527. |
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| 作者姓名： | 王荣 刘运宏 鲁明 冯钊 易天成 |
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| 作者单位： | 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室;北京师范大学核科学与技术学院 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120003110011);国家自然科学基金资助项目(10675023,11075018,11375028);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 |
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| 摘 要： | 引入移位损伤剂量,对国产空间用GaAs/Ge太阳电池电子的辐射效应进行研究分析。首先计算电子在电池中的非电离能损(non-ionizing energy loss,NIEL)值,再用其与电子辐射注量的相乘,得到相应的移位损伤剂量(displacement damage dose,Dd),并对不同能量电子辐射下GaAs/Ge太阳电池最大输出功率Pmax随Dd的衰降曲线进行修正。分析结果表明:用Dd代替辐射注量,可使不同能量电子辐射引起的GaAs/Ge太阳电池Pmax的衰降能用单一曲线来描述。由此,通过NIEL值的计算和相对少的电子实验数据,就可确定太阳电池Pmax的衰降曲线,能够方便地预测在轨任务太阳电池的工作寿命。
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| 关 键 词： | GaAs/Ge太阳电池 移位损伤剂量 电子辐射 |
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