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| Al2O3／Si（001）衬底上GaN外延薄膜的制备 | |
| 引用本文： | 汪连山,刘祥林.Al2O3／Si（001）衬底上GaN外延薄膜的制备[J].中国科学(E辑),1998,28(1):2-36. |
| 作者姓名： | 汪连山 刘祥林 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所!北京100083 |
| 基金项目： | 国家“八六三”计划资助项目，“八五”科技攻关资助项目 |
| 摘 要： | 利用低压金属有机物化学气相沉积方法在Ａｌ２Ｏ３／Ｓｉ（００１）衬底上制备出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜。厚度为１．１μｍ的ＧａＮ薄膜的（０００２）Ｘ射线衍射峰半高宽是７２ａｒｃｍｉｎ，薄膜的玛赛克（ｍｏｓａｉｃ）结构是Ｘ射线衍射峰展宽的主要原因，室温下ＧａＮ光致发光谱的带边峰位于３６５ｎｍ。 |
| 关 键 词： | 氮化镓 外延薄膜 制备 薄膜 化学气相沉积 |
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