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| 层状钙钛矿结构铁电薄膜高场耗散效应 | |
| 引用本文： | 杨平雄.层状钙钛矿结构铁电薄膜高场耗散效应[J].中国科学(E辑),1998,28(4):13-319. |
| 作者姓名： | 杨平雄 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所!红外物理国家重点实验室，上海200083，中国科学院上海冶金研究所!上海200050，中国科学院上海技术物理研究所!红外物理国家重点实验室，上海200083 |
| 基金项目： | 国家攀登计划和国家自然科学基金重点资助项目!(批准号 :6 97380 2 0 )，上海市“启明星”计划资助项目 |
| 摘 要： | 以层状钙钛矿结构铁电薄膜Pt/SrBi2 Ta2 O9/Pt(Pt/SBT/Pt)三明治结构薄膜电容系统为例 ,研究了铁电薄膜高场耗散效应 .详细讨论了铁电薄膜高场漏电特性、击穿特性和瞬变电流特性以及铁电薄膜高场耗散效应产生的机理 .发现SBT薄膜漏电机制是从体限制过渡到电极限制为主 ,击穿电场与电极有效面积的对数成负线性关系 ,瞬变电流与极化反转无关 .理论分析与实验结果一致 . |
| 关 键 词： | 铁电薄膜 高场耗散效应 SBT |
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