Al-Mg-Si合金GP区及β相界面电子结构分析 |
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引用本文: | 王庆松,崔雪鸿,王玉玲,侯贤华.Al-Mg-Si合金GP区及β相界面电子结构分析[J].广西科学,2006,13(3):207-211. |
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作者姓名: | 王庆松 崔雪鸿 王玉玲 侯贤华 |
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作者单位: | 安徽工程科技学院应用数理系,安徽芜湖,241000;广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁,530004;广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁,530004 |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目(50061001),广西科学基金项目(桂科基0342004-1),广西“十百千人才工程”项目(2001207)联合资助 |
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摘 要: | 运用EET理论对A l-M g-S i合金GP区(L10型,下同)、β相(M g2S i)与基体的界面电子结构进行计算,着重从界面电子角度反映时效过程中GP区、β相与基体的界面结合性质、界面原子状态变化及界面对合金有关力学性能的影响,并分析原子状态变化的原因。结果表明:A l-M g-S i合金GP区与基体界面电子密度在一级近似下连续,GP区粒子易于长大,而β相不连续,抑制了β相再结晶晶粒的长大,但它在高应力下呈现连续,从而提高合金变形抗力。当界面最稳定时,GP区与基体界面的结合强于β相与基体界面的结合,当界面处于非稳定的临界状态时,与最稳定状态相比,GP区与基体界面结合能力下降,而β相升高。最稳定状态下的界面与体内各原子杂阶相比,GP区界面各类原子杂化能级总体上升,β相界面各类原子状态没有变化;当基体界面电子密度由最小值过渡到最大值时,GP区与β相中S i原子的杂阶均降低;GP区界面处基体A l原子的杂阶不变,但β相界面处基体A l原子的杂阶上升。
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关 键 词: | Al-Mg-Si合金 GP区 β相 界面电子结构 |
文章编号: | 1005-9164(2006)03-0207-05 |
收稿时间: | 2005-07-05 |
修稿时间: | 2005-08-22 |
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