| 电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布 |
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| 引用本文： | 张秀兰,张富强,宋书林,陈诺夫,王占国,胡文瑞,林兰英.电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布[J].科学通报,2002,47(17). |
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| 作者姓名： | 张秀兰 张富强 宋书林 陈诺夫 王占国 胡文瑞 林兰英 |
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| 作者单位： | 张秀兰,张富强,宋书林,王占国(中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083);陈诺夫,林兰英(中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083;中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100080);胡文瑞(中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100080)
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| 基金项目： | 国家攀登计划，国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布, 所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致. 研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置, 并在GaSb中形成了浅受主能级.
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| 关 键 词： | 电化学C-V 磁性半导体 |
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