| 热处理温度对AlP/SiO_2纳米复合材料发光的影响 |
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| 引用本文： | 郭芳侠. 热处理温度对AlP/SiO_2纳米复合材料发光的影响[J]. 陕西师范大学学报(自然科学版), 2001, 0(3) |
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| 作者姓名： | 郭芳侠 |
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| 作者单位： | 陕西师范大学物理学与信息技术学院!陕西西安710062 |
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| 摘 要： | 对不同温度热处理的xAlP/1 0 0SiO2 纳米复合材料的光致发光进行了研究 .结果表明 ,50 0℃热处理的样品光致发光谱只有位于 585nm附近的发光峰 ,它来源于表面态和缺陷复合发光 .6 0 0℃热处理的样品有两个发光峰 ,分别位于 585nm和6 35nm附近 .分析认为 ,6 35nm处的发光是被弛豫至表面态的电子和空穴通过隧穿复合发光 ;材料热处理温度的提高有利于晶粒的生长 ,从而使表面态和缺陷发光明显减弱 ,出现另一由于隧穿复合产生的发光峰
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| 关 键 词： | 热处理温度 AlP/SiO2纳米材料 隧穿复合发光 |
Heat treatment influence on photo-luminescence of AlP/SiO_2 nano_composites |
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| GUO Fang_xia. Heat treatment influence on photo-luminescence of AlP/SiO_2 nano_composites[J]. Journal of Shaanxi Normal University: Nat Sci Ed, 2001, 0(3) |
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| Authors: | GUO Fang_xia |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | heat treatment temperature AlP/SiO_2 nano-crystallites tunneling recombination luminescence |
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