| SiC-MESFET器件的夹断电压 |
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| 引用本文： | 王守国,张义门,张玉明,张志勇,阎军锋.SiC-MESFET器件的夹断电压[J].西北大学学报,2003,33(1):26-28. |
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| 作者姓名： | 王守国 张义门 张玉明 张志勇 阎军锋 |
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| 作者单位： | [1]西安电子科技大学微电子研究所，陕西西安710071 [2]西北大学电子科学系，陕西西安710069 |
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| 基金项目： | 国防预研基金资助项目(No.8.1.7.3) |
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| 摘 要： | 考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响，给出了较为精确的计算SiC—MESFET器件夹断电压的方法，计算的结果和实验值符合较好。
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| 关 键 词： | SiC—MESFET器件 夹断电压 碳化硅 界面态 反向漏电流 非完全离化 |
| 文章编号： | 1000-274X(2003)01-0026-03 |
| 修稿时间： | 2002年9月17日 |
Investigation of the pinch off voltage of SiC-MESFET |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC pinch off voltage interface states |
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