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用表面光伏法测定Ⅲ-Ⅴ族化合物少子扩散长度
作者姓名:
陈朝
沈顗华
作者单位:
厦门大学物理学系(陈朝),厦门大学物理学系(沈顗华)
摘 要:
本文用表面光伏(SPV)法测定了不同掺杂的Ⅲ-Ⅴ族化合物(n型GaAs、GaP和InP)较小的少子扩散长度。SPV法和扫描电镜法的相对误差小于±5%。比较了三种SPV法的测量精度,发现由本文提出的等光强法较好,讨论了SPV法应用条件和产生测量误差的主要因素。
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