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一种基于SiGe BiCMOS的高性能运算跨导放大器的设计
引用本文:潘星,王永禄.一种基于SiGe BiCMOS的高性能运算跨导放大器的设计[J].重庆邮电大学学报(自然科学版),2008,20(4):418-422.
作者姓名:潘星  王永禄
作者单位:重庆邮电大学,重庆,400065;模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060;模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060;中国电子科技集团公卅第二十四研究所,重庆,400060
摘    要:绍了一种基于SiGe BiCMOS工艺,可用于开关电容电路的全差分运算跨导放大器(OTA)。在信号通路中使用复合达林顿连接以达到高增益和大带宽。用Cadence Spectre仿真,在电源电压为3.3 V、电容负载为1.1 pF时,此放大器可提供89 dB的低频直流增益,相位裕度为54°,单位增益带宽为2 GHz,功耗为19.8 mW,差动输出摆幅为2.4 V,差动输入参考噪声功率谱密度为3.2 n(V(Hz))。在闭环反馈因子β=0.5时,此放大器达到0.01%的精度所需要的建立时间约为2 ns。

关 键 词:BiCMOS  跨导放大器  复合达林顿连接  模拟集成电路
收稿时间:2007/12/26 0:00:00

Design of high-performance operational transconductance amplifier based on SiGe BiCMOS
PAN Xing,WANG Yong-lu.Design of high-performance operational transconductance amplifier based on SiGe BiCMOS[J].Journal of Chongqing University of Posts and Telecommunications,2008,20(4):418-422.
Authors:PAN Xing  WANG Yong-lu
Institution:Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, P.R. China
Abstract:
Keywords:BiCMOS  operational transconductance amplifier  compound Darlington connections  analog integrated circuits
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