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| 红外锗单晶大晶埚径比水平放肩生长 | |
| 引用本文： | 张志坚.红外锗单晶大晶埚径比水平放肩生长[J].云南大学学报(自然科学版),2002(Z1). |
| 作者姓名： | 张志坚 |
| 作者单位： | 昆明冶金研究院 云南昆明 |
| 摘 要： | 红外热成像远距离侦测技术的发展 ,需要制备大直径的红外锗单晶光学材料 .减少机械及热扰动是制备大直径的红外锗单晶光学材料的必要条件 ,通过静态热场的配置和采用水平放肩 ,大晶埚径比 (0 .73～ 0 .92 )生长工艺 .最大限度发挥了现有设备能力 ,实现了红外锗晶体生长周期缩、成晶率提高、节约用料 |
| 关 键 词： | 大直径 红外 锗单晶体 水平放肩生长 |
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