| MOSFET的热载流子效应及其寿命的评估方法 |
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| 引用本文： | 卢雪梅,蒋轲,石广源. MOSFET的热载流子效应及其寿命的评估方法[J]. 辽宁大学学报(自然科学版), 2009, 36(2): 129-132 |
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| 作者姓名： | 卢雪梅 蒋轲 石广源 |
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| 作者单位： | 辽宁大学,物理学院,辽宁,沈阳,110036 |
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| 基金项目： | 沈阳市科技局资助项目 |
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| 摘 要： | 首先简单地讨论热载流子效应的背景及其物理机制.然后,提出了一种常用的用来推算金属氧化物场效应晶体管的热载流子效应的寿命的模型,Hu模型.在这些研究的基础上,才能更好地研究来削弱MOSFET的热载流子效应及提高MOSFET的热载流子效应的寿命的方法.
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| 关 键 词： | 热载流子效应 金属氧化物场效应晶体管 Hu模型 |
Hot-Carrier-Induced Degradation of MOSFETs and a Model to Extrapolate the Lifetime |
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| LU Xue-mei,JIANG ke,SHI Guang-yuan. Hot-Carrier-Induced Degradation of MOSFETs and a Model to Extrapolate the Lifetime[J]. Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition), 2009, 36(2): 129-132 |
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| Authors: | LU Xue-mei JIANG ke SHI Guang-yuan |
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| Affiliation: | College of Physics;Liaoning University;Shenyang 110036 |
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| Abstract: | In this study,first,the background and the physical mechanism of hot-carrier effects will be simply discussed.Then,a simplified model,Hu model,was presented to extrapolate the HCI lifetime of MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).Based on this work,we can find optimization method to improve the HCI lifetime of MOSFET. |
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| Keywords: | hot-carrier effects Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Hu model. |
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