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| 退火对CdS薄膜和CdS纳米晶的电学与光学性质的影响 | |
| 作者姓名： | 杨一军 杨保华 等 |
| 摘 要： | 通过喷雾热触获得CdS薄膜，水热法合成CdS纳米晶，在氮气中做了退火处理，发现CdS膜的吸收边随退火温度升高而移动；经暗电阻与温度关系测试，发现CdS薄膜和纳米晶的激活能存在极小值，用载流子衰减时间的变化很好地解释了其缘由；室温喇曼谱中观察到CdS的两个特征峰。 |
| 关 键 词： | 退火 CdS薄膜 CdS纳米晶 光学性质 吸收边 激活能 半导体材料 电学性质 硫化镉 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |