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带有源巴伦的CMOS宽带低噪声放大器设计
引用本文:陈晓飞,李小晶,邹雪城,林双喜. 带有源巴伦的CMOS宽带低噪声放大器设计[J]. 华中科技大学学报(自然科学版), 2013, 41(5)
作者姓名:陈晓飞  李小晶  邹雪城  林双喜
作者单位:1. 华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉,430074
2. 武汉工程大学电气信息学院,湖北武汉,430073
基金项目:国家自然科学基金资助项目
摘    要:设计了一种400~800 MHz带有源巴伦的低噪声放大器(balun-LNA).电路输入级采用共栅结构实现宽带匹配,输出端使用共源漏技术来实现巴伦功能,将单端输入信号转变为差分输出信号,利用参数优化设计来降低噪声性能.电路采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺仿真,结果表明:在400~800 MHz工作频段内,balun-LNA的输入反射系数小于-12 dB,噪声系数为3.5~4.1 dB,电压增益为18.7~20.5 dB,在3.3V电压下功耗约为17.8 mW.

关 键 词:低噪声放大器  宽带  噪声系数  共栅  巴伦  低功耗

Design of broadband low noise amplifier with source barron CMOS
Abstract:
Keywords:
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