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| 微晶硅/晶体硅HIT结构异质结太阳电池的模拟计算与分析 | |
| 作者姓名： | 韩兵 周炳卿 郝丽媛 王立娟 那日苏 |
| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室,内蒙古,呼和浩特,010022 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 运用AFORS-HET程序模拟分析μc-Si(p)/μc-Si(i)/c-si(n)HIT结构异质结太阳电池的光伏特性,并研究发射层厚度、本征层厚度、本征层能隙宽度、界面态密度以及能带失配等参数对太阳能电池光伏特性的影响,计算结果表明:插入5nm较薄微晶硅本征层,电池的转换效率最佳;随着微晶硅本征层厚度增加,电池性能降低,电池的界面缺陷态显著影响电池的开路电压和填充因子,对能带补偿情况进行模拟分析,结果显示,随着价带补偿(△Ev)的增大,由界面态所带来的电池性能的降低逐渐被消除,当△Ev=0.25 eV时,界面态带来的影响几乎完全消除,通过优化各参数,获得微晶硅/晶体硅HlT结构异质结太阳能电池的最佳转换效率为19.86%. |
| 关 键 词： | 微晶硅/晶体硅 异质结 太阳电池 模拟计算 |
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