Ce，Sm联合掺杂TiO2薄膜制备及其电致变色特性

以钛酸四丁酯、硝酸铈和硝酸钐为主要原料，采用溶胶-凝胶法在ITO导电玻璃基片表面制备Ce，Sm联合掺杂TiO2电致变色薄膜，Ce，Sm掺杂的摩尔分数分别为0，2%，5%和10%.采用电化学工作站和紫外可见分光光度计，研究了薄膜的循环伏安特性和光谱特性.结果表明，Ce，Sm的摩尔分数为2%时，薄膜的峰值电流最大，电荷存储能力最强，注入电荷密度为1512mC·cm-2，循环可逆性K值为07.Ce，Sm的摩尔分数为5%和10%时，随着掺杂量的增加，薄膜的峰值电流减小，电荷存储能力变弱.Ce，Sm掺杂TiO2薄膜在可见光范围内具有更好的光学透明度，着色时颜色很浅，着色态和褪色态的光谱透过率几乎一致，均在90%以上，可以在电致变色玻璃中作为离子存储材料.