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| 沉积温度对氮化硅薄膜力学性能的影响 | |
| 引用本文： | 吴清鑫,陈光红.沉积温度对氮化硅薄膜力学性能的影响[J].科技资讯,2011(31):30-30,33. |
| 作者姓名： | 吴清鑫 陈光红 |
| 作者单位： | 苏州市职业大学电子信息工程系,江苏苏州,215104 |
| 摘 要： | 采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),硅烷SiH4(用氮气N2稀释到12%)和纯氨气NH3作为反应气体在(100)硅片上生长氮化硅薄膜;采用表面轮廓仪(Dektak3 6M)测量氮化硅薄膜的残余应力;由XPS测得氮化硅薄膜的氮硅比。讨论沉积温度对氮化硅薄膜残余应力的影响,并分析其原因。 |
| 关 键 词： | PECVD 氮化硅 沉积温度 残余应力 |
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