| 热蒸发SiO大量合成硅纳米线及其可控p型掺杂 |
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| 引用本文： | 马渊明,谢超,江鹏,于永强,王莉,揭建胜.热蒸发SiO大量合成硅纳米线及其可控p型掺杂[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2011,34(7):1088-1091. |
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| 作者姓名： | 马渊明 谢超 江鹏 于永强 王莉 揭建胜 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽合肥,230009 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 文章采用化学气相沉积法,以一氧化硅粉末为硅源,于1 350℃进行高温热蒸发,成功合成了大量单晶硅纳米线；并利用X-射线衍射、场发射扫描电子显微镜以及透射电子显微镜等手段对产物的形貌和微结构进行了系统表征.硅纳米线具有良好的结晶质量,直径在20～80 nm之间,长度为数十微米至数百微米,其外层通常为一层非晶硅氧化层所包裹...
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| 关 键 词： | 硅纳米线 热蒸发 p型掺杂 电学特性 |
Large-scale synthesis of silicon nanowires by thermal evaporation of silicon monoxide and controlled p-type doping |
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| MA Yuan-ming,XIE Chao,JIANG Peng,YU Yong-qiang,WANG Li,JIE Jian-sheng.Large-scale synthesis of silicon nanowires by thermal evaporation of silicon monoxide and controlled p-type doping[J].Journal of Hefei University of Technology(Natural Science),2011,34(7):1088-1091. |
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| Authors: | MA Yuan-ming XIE Chao JIANG Peng YU Yong-qiang WANG Li JIE Jian-sheng |
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