MEVVA注入法合成SiC／Si异质结构的椭偏光谱研究

利用ＭＥＶＶＡ离子源进行离子束合成,制备了Ｃ＾＋离子注入单晶Ｓｉ衬底的样品,并利用椭偏光谱法研究了退火和未退火两种情况。椭偏光谱测量波长范围为４００￣２０００ｎｍ。通过对所测量样品的椭偏光谱数据分析,可得到离子束合成ＳｉＣ／Ｓｉ异质结构的多层膜结构。椭偏光谱法的测量结果证实：退火样品形成了ＳｉＣ埋层,即使进行高温、长时间退火处理,该埋层ＳｉＣ仍难以得到ＳｉＣ体材料的光学常数。