| MEVVA注入法合成SiC／Si异质结构的椭偏光谱研究 |
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| 引用本文： | 郭文胜,杜泉,朱丹,朱自强. MEVVA注入法合成SiC／Si异质结构的椭偏光谱研究[J]. 四川大学学报(自然科学版), 1999, 36(1): 77-81 |
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| 作者姓名： | 郭文胜 杜泉 朱丹 朱自强 |
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| 作者单位： | [1]四川大学光电系 [2]四川工业学院物理教研室 |
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| 摘 要： | 利用ＭＥＶＶＡ离子源进行离子束合成，制备了Ｃ＾＋离子注入单晶Ｓｉ衬底的样品，并利用椭偏光谱法研究了退火和未退火两种情况。椭偏光谱测量波长范围为４００￣２０００ｎｍ。通过对所测量样品的椭偏光谱数据分析，可得到离子束合成ＳｉＣ／Ｓｉ异质结构的多层膜结构。椭偏光谱法的测量结果证实：退火样品形成了ＳｉＣ埋层，即使进行高温、长时间退火处理，该埋层ＳｉＣ仍难以得到ＳｉＣ体材料的光学常数。
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| 关 键 词： | 椭偏光谱法 碳化硅 MEVVA注入法 异质结构 硅 |
SPECTROELLIPSOMETRIC STUDY OF SiC/Si HETEROSTRUCTURES PRODUCED BY MEVVA IMPLANTATION |
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| Guo Wensheng Du Quan Zhu Dan Zhu Ziqiang. SPECTROELLIPSOMETRIC STUDY OF SiC/Si HETEROSTRUCTURES PRODUCED BY MEVVA IMPLANTATION[J]. Journal of Sichuan University (Natural Science Edition), 1999, 36(1): 77-81 |
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| Authors: | Guo Wensheng Du Quan Zhu Dan Zhu Ziqiang |
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| Affiliation: | Guo Wensheng 1 Du Quan 2 Zhu Dan 3 Zhu Ziqiang 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | spectroscopic ellipsometry SiC MEVVA ion source |
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