| 多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究 |
| |
| 引用本文： | 常本康,徐登高.多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究[J].南京理工大学学报(自然科学版),1993(5):23-27. |
| |
| 作者姓名： | 常本康 徐登高 |
| |
| 作者单位： | 南京理工大学电子工程与光电技术学院
(常本康，徐登高，詹启海)，南京理工大学电子工程与光电技术学院(刘元震) |
| |
| 摘 要： | 该文利用辐射强度指数衰减率,多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式和光吸收系数公式,首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度。结果表明:当I_a/I_0>0.4时,阴极最佳厚度D应在1000A以上,并且D随I_a/I_o上升而增加。高能光子产生的光电子出现在阴极内表面层。该文同时指出:对第一类阴极(S-20,S-20R,S-25),D应为300A左右;对第二类阴极(New S-25,Varo,LEP)则为900A。并预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出,随着光电子逸出深度和入射光波长增加,光电阴极厚度增加。如果光电子逸出深度在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极最佳厚度D应在1200A左右。
|
| 关 键 词： | 夜视仪 光电阴极 电子亲和势 理论 |
Theoretical Study of Thickness on Polycrystalline Semiconductor Multialkali Photocathode |
| |
| Chang Benkang School of Electronic Engineering and Optoelectronic Technology.Theoretical Study of Thickness on Polycrystalline Semiconductor Multialkali Photocathode[J].Journal of Nanjing University of Science and Technology(Nature Science),1993(5):23-27. |
| |
| Authors: | Chang Benkang School of Electronic Engineering and Optoelectronic Technology |
| |
| Institution: | Chang Benkang School of Electronic Engineering and Optoelectronic Technology |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | night vision meter photocathodes electron affinity absorption coefficient quantum yields |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
