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| AP—MOCVD GaN材料生长特性 | |
| 引用本文： | 赵佰军,缪国庆.AP—MOCVD GaN材料生长特性[J].吉林大学自然科学学报,1997(2):59-62. |
| 作者姓名： | 赵佰军 缪国庆 |
| 摘 要： | 研究低温生长ＧａＮ过渡层（缓冲层）在ＡＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ材料过程的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对ＧａＮ材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化、获得了Ｘ射线双晶衍射半峰宽为６‘的ＧａＮ外延层。 |
| 关 键 词： | MOCVD 过渡层 氮化镓 LED |
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