| 利用红外热像研究不同浓度腐蚀液中GaAs 的反应启动时长 |
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| 作者姓名： | 刘霖 叶玉堂 吴云峰 方亮 陆佳佳 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院,成都610054;电子科技大学光电信息学院,成都610054;电子科技大学光电信息学院,成都610054;电子科技大学光电信息学院,成都610054;电子科技大学光电信息学院,成都610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：60277008）、教育部重点项目（编号：03147）、国防科技重点实验室基金项目（编号：514910501005Dz0201）和四川省科技厅课题（编号：04GG021-020-01）资助 |
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| 摘 要： | 提出了一种测定材料湿法刻蚀启动时长的红外热成像新方法. 该方法的实质是利用反应启动时必然有化学热吸收或释放, 从而引起材料表面液膜温度变化这一特点, 通过红外热成像实时监测系统, 采集液膜温度变化过程的红外热像, 从而判断反应启动时长. 实验发现, 2 mm宽线形液膜是较为理想的监测对象, 因其同时具备温度变化信息和空间分布信息, 可以将线形液膜中心作为理想的观测特征点; 由滑动液滴形成残留线形液膜可以得到超浅液膜, 温度变化灵敏度高, GaAs竖直放置, 可以避免液膜重力对启动时长的影响, 获得更为准确的监测数据. 在本实验条件下, 由线形液膜的横向剖面灰度变化得到GaAs材料与H2SO4:H2O2:H2O(= 5:1:50和15:3:50)腐蚀液的反应启动时长分别约为0.2 s和0.3~0.4 s之间. 该方法的提出, 对于快速刻蚀技术以及固-液吸附等性能研究均具有重要价值.
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| 关 键 词： | 红外辐射 实时监测 液滴 液膜 砷化镓 |
| 收稿时间： | 2007-01-15 |
| 修稿时间： | 2007-01-152007-04-28 |
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