| A位掺杂Sr1-xLa2x/3Bi4Ti4O15陶瓷的铁电介电性能 |
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| 引用本文： | 王伟,顾世浦,单丹,陈小兵. A位掺杂Sr1-xLa2x/3Bi4Ti4O15陶瓷的铁电介电性能[J]. 扬州大学学报(自然科学版), 2006, 9(4): 38-41 |
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| 作者姓名： | 王伟 顾世浦 单丹 陈小兵 |
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| 作者单位： | 扬州大学,物理科学与技术学院,江苏,扬州,225002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10274066)，江苏省自然科学基金资助项目(BK2005052) |
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| 摘 要： | Sr1-xL a2x/3B i4T i4O15(SLBT-x,x=0.00~0.75)陶瓷居里温度(tC)随掺杂量的增加而降低,显示掺杂导致晶格畸变减小,这是由于L a3 取代Sr2 位而产生的A位空位弱化了相邻T iO6八面体的耦合作用所致.样品介电峰峰高随掺杂量增加而降低,峰形宽化,表现出弥散相变的特征,这是由于L a3 和Sr2 离子半径的差异以及高掺杂量下L a3 离子部分进入铋氧层所致.样品的剩余极化(2Pr)在掺杂量为0.3时增加到23.1×10-2C.m-2,同时矫顽场降低到79.6×105V.m-1,高价掺杂所形成的偶极子缺陷使得样品铁电性能明显改善.
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| 关 键 词： | 掺杂 剩余极化 居里温度 偶极子缺陷 |
| 文章编号： | 1007-824X（2006）04-0038-04 |
| 收稿时间： | 2006-07-26 |
| 修稿时间： | 2006-07-26 |
Ferroelectric and dielectric properties of Sr1-xLa2x/3Bi4Ti4O15 ceramics |
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| WANG Wei,GU Shi-pu,SHAN Dan,CHEN Xiao-bing. Ferroelectric and dielectric properties of Sr1-xLa2x/3Bi4Ti4O15 ceramics[J]. Journal of Yangzhou University(Natural Science Edition), 2006, 9(4): 38-41 |
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| Authors: | WANG Wei GU Shi-pu SHAN Dan CHEN Xiao-bing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | doping remanent polarization curie temperature dipole defect |
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