|
|||||
|
|
| 外电场调控V2NO2/MoGe2N4异质结界面性质的第一性原理 | |
| 引用本文： | 王泽,白丽娜,牛丽.外电场调控V2NO2/MoGe2N4异质结界面性质的第一性原理[J].高师理科学刊,2024(2):48-52. |
| 作者姓名： | 王泽 白丽娜 牛丽 |
| 作者单位： | 哈尔滨师范大学物理与电子工程学院 |
| 摘 要： | 采用第一性原理计算系统地研究V2NO2和Mo Ge2N4的基础性质，及其异质结界面的电场响应特性．V2NO2具有类金属特性，Mo Ge2N4为间接带隙半导体特性．两种结构搭建的异质结具有六种不同堆叠方式，全部构型进行优化并选用了最低能量构型进行电场响应特性分析．V2NO2/Mo Ge2N4异质结构的界面相互作用为范德瓦尔斯相互作用，两种结构在异质结中良好地保持了自己的本征性质．在外电场的调控下，V2NO2/Mo Ge2N4异质结可以在p型肖特基接触和欧姆接触之间转换．结果表明，V2NO2/Mo Ge2N4是可调的金属/半导体接触． |
| 关 键 词： | MA2Z4 异质结 肖特基势垒 第一性原理 |