| InAs／GaAs应变异质界面能带排列的极端应变效应 |
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| 引用本文： | 柯三黄,黄美纯.InAs／GaAs应变异质界面能带排列的极端应变效应[J].厦门大学学报(自然科学版),1995,34(4):547-552. |
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| 作者姓名： | 柯三黄 黄美纯 |
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| 摘 要： | 建议用一种基于超晶格自洽超原胞计算的形变势方法来确定ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变异质界面的能带排列情况。该方法全面考虑了界面电荷、弹性应变以及自旋－轨道耦合等因素对能带排列的影响。结果表明，ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ异质界面的能带排列具有极端显著的应变效应，通过人工控制其平面内晶格常数（可由选择不同的衬底来实现），可使其成为Ⅰ型，Ⅱ型超晶格或金属。此应变效应主要来源于单轴应力及其与自旋－轨道分裂的耦合，而流体静压和界面电荷的作用则相对很小．本文对以ＧａＡｓ为衬底情况下的计算结果与Ｘ射线光发射实验数据相一致。
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| 关 键 词： | 能带排列，应变层超晶格，异质界面 |
Exceeding Strain-induced Effects on the Electronic Properties of InAs/GaAs Strained-layer Superlattices |
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| Ke Sanhuang, Huang Meichun,Wang Renzhi.Exceeding Strain-induced Effects on the Electronic Properties of InAs/GaAs Strained-layer Superlattices[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1995,34(4):547-552. |
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| Authors: | Ke Sanhuang Huang Meichun Wang Renzhi |
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| Institution: | Dept.of phys |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Band lineup strained-layer superlattice |
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