LMTO方法在β—Si3N4能带结构和静态性质研究中的应用 |
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引用本文: | 吴孙桃,王仁智.LMTO方法在β—Si3N4能带结构和静态性质研究中的应用[J].厦门大学学报(自然科学版),1995,34(1):39-42. |
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作者姓名: | 吴孙桃 王仁智 |
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摘 要: | 用LMTO-ASA方法和局域密度泛函理论,从第一原理计算了晶体结构复杂的β-Si3N4的电子能带结构、晶体的总能-体积曲线,由总能-体积曲线球得晶体的平衡晶格数a1、体模量B0和结合能Ecoh,引用Lowdin微扰法减少计算工作量,计算结果与准确性较高的从头算赝势法的计算结果基本相符。本计算量比从头算赝势法少得多,仅用74阶久期方程,便获得合理的结果。
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关 键 词: | 电子能带 静态性质 氮化硅 LMTO法 |
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