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LMTO方法在β—Si3N4能带结构和静态性质研究中的应用
引用本文:吴孙桃,王仁智.LMTO方法在β—Si3N4能带结构和静态性质研究中的应用[J].厦门大学学报(自然科学版),1995,34(1):39-42.
作者姓名:吴孙桃  王仁智
摘    要:用LMTO-ASA方法和局域密度泛函理论,从第一原理计算了晶体结构复杂的β-Si3N4的电子能带结构、晶体的总能-体积曲线,由总能-体积曲线球得晶体的平衡晶格数a1、体模量B0和结合能Ecoh,引用Lowdin微扰法减少计算工作量,计算结果与准确性较高的从头算赝势法的计算结果基本相符。本计算量比从头算赝势法少得多,仅用74阶久期方程,便获得合理的结果。

关 键 词:电子能带  静态性质  氮化硅  LMTO法
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