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| GaAs1—xPx：TeLED）中深能级及其对发光效率的影响 | |
| 引用本文： | 陈世帛,周必忠.GaAs1—xPx：TeLED）中深能级及其对发光效率的影响[J].厦门大学学报(自然科学版),1995,34(5):715-718. |
| 作者姓名： | 陈世帛 周必忠 |
| 摘 要： | 利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法研究了不同发光效率的掺Ｔｅ的ＧａＡｓ１－ｘＰｘＬＥＤ中的深中心，探讨深能级对ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：ＴｅＬＥＤ发光效率的影响，结果表明，发射率激活能力０．４０ｅＶ的Ｂ能级是影响发光效率的主要无幅射中心。 |
| 关 键 词： | 深能级 发光效率 混晶半导体 光电效应 |
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