首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
混晶GaAs1—xPx:N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射
作者姓名:
俞容文 郑健生
摘 要:
研究了混晶材料GaAs1-xPx:N(x=0.76,0.65)中的共振喇曼散射,在背散射配置的(100)晶向观察到“禁戒”的TO声子散射模,这一实验现象解释为在共振激发Nx杂质带的条件下,由于晶体对称性的喇曼选择定则失效,TO模成为喇曼活性,根据热猝灭规律,还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据。
关 键 词:
Ⅲ-Ⅴ族 混晶 半导体 共振喇曼散射 氮
本文献已被
维普
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号