AlxGa1—xAs虚晶近似LMTO能带的自洽计算 |
| |
引用本文: | 王仁智,柯三黄.AlxGa1—xAs虚晶近似LMTO能带的自洽计算[J].厦门大学学报(自然科学版),1995,34(1):34-38. |
| |
作者姓名: | 王仁智 柯三黄 |
| |
摘 要: | 对于包含芯态的全电子势的LMTO-ASA能带计算方法,建议用一种虚晶近拟的合金能带计算方法,中差重研究该方法的能带自洽代计算方案,在AlxGa1-xAs合金能带计算中获得合理的虚晶近拟的能带结构。
|
关 键 词: | 合金 能带结构 虚晶近似 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|