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AlxGa1—xAs虚晶近似LMTO能带的自洽计算
引用本文:王仁智,柯三黄.AlxGa1—xAs虚晶近似LMTO能带的自洽计算[J].厦门大学学报(自然科学版),1995,34(1):34-38.
作者姓名:王仁智  柯三黄
摘    要:对于包含芯态的全电子势的LMTO-ASA能带计算方法,建议用一种虚晶近拟的合金能带计算方法,中差重研究该方法的能带自洽代计算方案,在AlxGa1-xAs合金能带计算中获得合理的虚晶近拟的能带结构。

关 键 词:合金  能带结构  虚晶近似
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