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| 浅谈CdTe薄膜的制备方法及掺杂改性研究 | |
| 引用本文： | 郭福强,张保花.浅谈CdTe薄膜的制备方法及掺杂改性研究[J].昌吉学院学报,2010(1):104-108. |
| 作者姓名： | 郭福强 张保花 |
| 作者单位： | 昌吉学院物理系,新疆,昌吉,831100 |
| 基金项目： | 昌吉学院研究生启动课题(09SSQD021、09SSQD023) |
| 摘 要： | Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物碲化镉(CdTe)因其具有良好的光电性质,而成为制备高效率、低成本的多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料。广泛的应用其制备是前提,CdTe薄膜的制备方法较多,主要有:CSS法(closed-space sublimation,近距离升华);电沉积(ED)法;溅射法;喷涂法和真空蒸发法等。采用不同的制备技术对CdTe薄膜样品的结构与性质有较大差异,本文研究了CdTe薄膜的结构特性,比较制备工艺较成熟且效率较高的常用方法的优缺点,并系统讨论了CdTe薄膜的掺杂改性研究。 |
| 关 键 词： | CdTe 薄膜 晶体结构 |
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